多晶矽的制造来源为矽砂，全世界每年生产数千万公吨的金属级多晶矽及冶金级多晶多晶矽，其中只有不到5%的冶金级多晶矽被纯化成电子级多晶矽，其纯度等级达12N以上。而依据SEMI M16与JEITA EM-3601A中均有规范多晶矽形状、尺寸、纯度、表面金属污染、外观及包装等，而我们主要针对多晶矽块「表面金属污染」这个面向进行说明。
当多晶矽块表面存在金属污染，这些受污染的晶块在长晶炉中融化、晶棒成长、晶圆到IC元件的过程中会引发deep-level缺陷，有害于IC元件上的应用(如造成漏电等)。所以在晶棒产出后都会进行监控，确认晶棒是否有金属污染，因为晶棒成长的特性，金属污染常在晶棒外围被发现呈现甜甜圈状(如右图红色区域所示)。
受限于检测技术的关系，这个阶段的污染监控只能明确知道铁污染的程度，对于其他金属污染则无法得知；这种检测技术只限定阻值大于1欧姆以上之晶棒，对于阻值小于1欧姆之晶棒则不适用。因此我们应将监控时机提前至投料前的多晶矽块检验：在投料生产前，先对多晶矽块进行金属污染的确认，以确保晶棒品质。
有个实际案例可以分享：某长晶厂在导入2nd source时，评估某国多晶矽制造商之产品。在前期评估料块时，发现多晶矽表面金属浓度高于原本使用的料块，且后续投料试生产发现，其制成的晶圆在检测上的表现也不如原本使用的料块，最终判定此制造商所生产之多晶料块无法被使用．这样的前期检测验证避免了后续不必要的成本损失，包含了冗长的验证时间以及不良晶棒产出的浪费．
那么我们要如何检测多晶矽块的表面金属呢？ ICP-MS可以是个很好的解决方案．首先我们需要准备以下试剂：
作业流程如下：
最终可产出完整的数据报告，供客户参照。
每根晶棒从投料到成长完成，所支出的成本(包含人力及物料)非常庞大，如在前段不仔细监控，一旦因原料关系而发生金属污染异常，将会导致莫大损失。
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