材料分析與檢驗在製造和生產過程中扮演著極重要的角色，對於確保產品品質、提高生產效率和滿足客戶需求至關重要。
上濰團隊與合作夥伴可協助客戶進行以下材料分析或監控。不論半導體業界或是其他產業在品質監控或製程能力提升上，都可以透過分析服務來達到所需要的目的。
此外，本公司持續規畫建置各種量測資源，亦可提供各式量測資源代詢代送服務。
一款靈活的單四極ICP質譜儀，提供了業界最佳的基質容限、最有效的氦氣碰撞模式、最低的檢測限和最寬的動態範圍。
ICP-MS代表Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry（感應耦合等離子體質譜儀），是一種高靈敏度、高分辨率的分析技術，主要用於測定元素的存在和濃度。
ICP-MS的原理基於樣品被注入到感應耦合等離子體中，形成高溫等離子體。該等離子體中的能量足以將樣品中的原子離子化。離子化的原子經過質譜儀分離和檢測，根據其質量/電荷比，可以確定元素的存在和濃度。
Reference: www.agilent.com
高靈敏度
ICP-MS具有極高的靈敏度，可以檢測到極低濃度的元素，四極杆ICP-MS中最寬的動態範圍，提供高達11個數量級的動態範圍，從ppt級到百分級濃度。
高分辨率
由於使用質譜儀，ICP-MS具有高分辨率，使其能夠區分非常接近質量的不同元素。
多元素分析
ICP-MS可同時測定多種元素，這使其在不同領域的分析應用中廣泛使用，如環境監測、生物醫學研究、食品檢測等。
快速反饋
ICP-MS 7900具有超快速資料獲取功能，每秒可完成10000次獨立測量。
可提供微量元素、雜質定量分析及深度剖析；以半導體材料為主，包括金屬和介質材料。 透過檢測可提供元素構成和化學結構的信息。可擴展應用於分析絕緣材料和生物醫學材料。
二次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一種高靈敏度的表面分析技術，常被應用於半導體、材料科學、生命科學和地質學等領域。SIMS能夠提供對表面的元素組成和化學結構的非常細緻的資訊。
高空間分辨率
SIMS具有很高的空間分辨率，可以達到亞微米或更小的尺度，因此可以對微小的區域進行高精度的分析。
高靈敏度
SIMS能夠檢測非常低濃度的元素，通常在百萬分之一至十億分之一的濃度範圍。
表面成份分析
SIMS主要應用於表面分析，因此對材料表面的成分和結構提供了詳細資訊。
可分析材料表面型貌及物理特性、樣品硬度等材料機械性質量測。
AFM代表原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope），是一種高解析度的顯微鏡，具有許多用途。 它是一種強大的工具，對於各種領域的奈米級別研究和應用都具有重要的作用，包括材料科學、生物學、奈米技術等等
專利技術
Dimension Edge 採用布魯克專利的PeakForce Tapping ®技術，提供同類產品中，高水平的原子力顯微鏡性能、功能。
應用廣泛
可按照不同的研究方向制定相應的實驗方案，並擁有先進的納米級測量能力。
精準量測
具有低漂移、低噪音的特點，提高數據獲取速度和可靠性。其整合的可視化回饋和預配置設置，使其如專家現場操作般，測量結果高度一致。
此設備集結了光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡和表面粗糙度儀的功能
雷射掃描式共軛焦顯微鏡（Laser Scanning Confocal Microscope，LSCM）是一種先進的光學成像技術，提供了高解析度、高對比度和實時觀察的能力，使其成為各種領域材料科學或生物科學等領域中不可或缺的工具。
掃描系統
LSCM包含一個掃描系統，它使用鏡片或棱鏡來定向激光束，使其在樣本表面上移動。通過定點光源的快速掃描，LSCM能夠在三維空間中構建高解析度的影像。
共焦技術
通過使用共焦技術，系統可以確保只有來自焦點平面的光通過檢測器，從而消除來自樣本其他部分的散射光。這提高了影像的對比度和解析度。
三維成像
由於掃描系統的特點，LSCM能夠在不同深度的焦點平面上獲取影像。這使得研究者能夠構建出高度詳細的三維樣本結構。
材料分析的高端設備，應用於先進材料科學、科學與工業薄膜技術、半導體製程開發等領域，可用於研究和分析晶體結構、結晶相、晶格參數、晶體尺寸等的量測
材料分析的高端設備，應用於先進材料科學、科學與工業薄膜技術、半導體製程開發等領域，可用於研究和分析晶體結構、結晶相、晶格參數、晶體尺寸等的量測。
X’Pert3 MRD系列具有先進的功能和性能，使其成為材料科學領域重要的分析工具。 以下是一些其主要特點：
半導體和單晶晶圓
無論是用於生長研究還是設備設計，使用高分辨率XRD對結構層品質、厚度、應力和合金組分進行量測的過程已成為電子和光電子多層半導體設備的研發核心所在。
借助多種可供選擇的X射線反射鏡、單色器和探測器，X’Pert3 MRD和MRD XL提供了高分辨率配置以適應不同的材料系統-從晶格匹配半導體，到遲豫緩衝層，再到非標準基片上的新型外來層。
多晶固體和薄膜
無論是用於生長研究還是設備設計，使用高分辨率XRD對結構層品質、厚度、應力和合金組分進行量測的過程已成為電子和光電子多層半導體設備的研發核心所在。
多晶層和塗層是許多薄膜和多層設備的重要組成部分。沈積過程中多晶層型態的演變是功能材料研發的主要研究領域。
X’Pert3 MRD和X’Pert3 MRD XL 可全面配備狹縫系統、平行光X射線反射鏡、多毛細管透鏡、交叉狹縫和單毛細管等一系列入射光路部件以供反射率、應力、織構和物相鑑定測試來做選擇。
超薄膜、奈米材料和非晶層
功能設備可能包含無序、非晶或奈米複合材料薄膜。 X‘Pert3 MRD和MRD XL系統的靈活性允許結合使用多種分析方法。
提供了一系列高分辨率光學器件，狹縫和平行板准直器來為掠入射、面內衍射和反射率測試實現最佳的性能。
非常溫條件下的量測
研究材料在各種條件下的變化是材料研究和過程開發的一個重要組成部分。
X’Pert3 MRD和MRD XL經過了專門的設計，可輕鬆整合Anton Paar提供的DHS1100非常溫樣品台，從而能夠在一系列溫度範圍和惰性氣體環境下自動進行量測。
▲倒易空間探索
▲搖擺曲線分析
▲結構分析
▲反射率
▲掠入射物相鑑定
▲面內衍射
▲隨溫度和時間變化的峰高
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